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使用硅,薄膜加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

开本：16开
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分类：专业技术
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1、使用通过衬底去除或者转移的标准绝缘体上硅工艺的硅光子晶片

[简介]：本套资料涉及使用通过衬底去除或者转移的标准绝缘体上硅工艺的硅光子晶片。提供了用于硅光子晶片的处理。接收包括有源硅光子层、薄掩埋氧化物层和硅衬底的硅光子晶片。薄掩埋氧化物层位于有源硅光子层和硅衬底之间。包括有源...

2、使用通过衬底去除或者转移的标准绝缘体上硅工艺的硅光子晶片

[简介]：本套资料提供用于硅通孔工艺中的硅基板背面蚀刻、不蚀刻由铜或钨等金属或者多晶硅等形成的连接塞而仅蚀刻硅基板、且具有优异的蚀刻速率的蚀刻液以及使用该蚀刻液的具有硅通孔的半导体芯片的制造方法。本套资料提供含有氢氧化...

3、硅通孔工艺中的硅基板背面蚀刻用蚀刻液及使用该蚀刻液的具有硅通孔的半导体芯片的制造方法

[简介]：本套资料合成出一种新颖的含硅预聚物，利用下列反应物生成如下反应产物：具有如下式I所示的化学式的四烷氧基硅烷、具有如下式II所示的化学式的反应型硅酮寡聚物、具有如下式III所示的化学式的亲水反应性单体：经水解缩...

4、含硅预聚物及使用其制得的含硅水胶与*

[简介]：本套资料提供一种硅蚀刻液和使用该硅蚀刻液的晶体管的制造方法，所述硅蚀刻液含有：0.1～40重量%的选自氨、二胺和通式（1）所示的多胺中的至少1种碱化合物；0.01～40重量%的选自规定的多元醇和不具有还原性的糖类中的至少1种多元...

5、硅蚀刻液以及使用该硅蚀刻液的晶体管的制造方法

[简介]：本套资料提供一种硅化合物、缩合物和使用了其的抗蚀剂组合物、以及使用其的图案形成方法。本套资料提供一种硅化合物，其使用烷氧基硅烷等水解性的硅化合物作为原料，能够简便地合成，同一分子内具有烷氧基等水解性基团和通过高能...

6、硅化合物、缩合物和使用了其的抗蚀剂组合物、以及使用其的图案形成方法

[简介]：本套资料的课题是提供具有双相结构的共晶硅合金及其制造方法、使用该粉末的烧结体的制造方法。解决手段为在燃烧合成含有以重量百分比计硅为30-70、氮为10-45、铝为1-40、及氧为1-40的硅合金时，通过将冷却速度控制在每分钟50℃...

7、双相共晶硅合金及其制造方法、以及使用该硅合金粉末的烧结体的制造方法

[简介]：本套资料提供一种使用可见光区域波长的激光来形成结晶性稳定的结晶硅膜的结晶硅膜的形成方法。本套资料的结晶硅膜的形成方法，包括：第一工序，形成金属膜；第二工序，在金属膜上形成绝缘膜；和第三工序，在绝缘膜上形成由多晶Si形...

8、结晶硅膜的形成方法、使用了该结晶硅膜的薄膜晶体管以及显示装置

[简介]：本套资料在利用CVD法在基板上成膜硅氧化膜时，使用一种硅氧化膜用成膜原料，其由具有羰基的硅氧烷系化合物构成，通过被赋予能量发生分解而CO离去，生成化学结构上不存在悬空键的生成物，且该生成物供于成膜。由此，以良好的阶梯...

9、硅氧化膜用成膜原料及使用该原料的硅氧化膜的成膜方法

[简介]：一种用于对硅衬底1的硅进行选择性掺杂以在硅中产生pn结的方法，具有下列步骤：a以基于磷的掺杂剂2涂覆硅衬底1的表面；b然后加热硅衬底1以在硅的表面上产生磷硅酸盐玻璃2，其中磷同时扩散到硅中作为第一次掺杂...

10、用于对硅进行选择性掺杂的方法以及使用该方法处理的硅衬底

[简介]：本套资料涉及在制备硅质膜的方法中使用的浸渍溶液。本套资料提供一种浸渍溶液和使用该溶液制备硅质膜的方法。即使在具有凹部和凸部的衬底的凹部，该浸渍溶液也能够形成均匀的硅质膜。在衬底上涂布聚硅氮烷组合物，然后在烧制前...

11、用于制备硅质膜的浸渍溶液和使用所述浸渍溶液制备硅质膜的方法

[简介]：本技术涉及一种MEMS圆片划片切割和结构释放方法中所使用的托盘，包括托盘本体，所述托盘本体底部上设置有滤孔，所述托盘本体底部通过十字架隔开形成多个格子所述格子内设置有两个相互平行的用来放置芯片的横梁所述...

12、一种MEMS硅晶圆片划片切割和结构释放方法中使用的托盘

[简介]：提供了通过使用激光烧蚀形成硅通孔的方法。所述方法包括：激光打孔，以通过将激光束照射到硅片的上表面上来形成多个凹槽；以及研磨硅片的下表面，以通过在硅片的下表面上暴露所述凹槽来形成多个硅通孔。

13、使用激光烧蚀形成硅通孔的方法

[简介]：硅或包括硅的材料的柱状颗粒及其制造方法。这些颗粒可被用于产生具有聚合物粘结剂、导电添加剂和金属箔集电体的复合阳极结构以及电极结构。所述颗粒的结构克服了充电放电容量损失的问题。

14、制造由硅或基于硅的材料构成的结构化颗粒的方法及其在锂可再充电电池组中的使用

[简介]：本套资料提供硅单晶提拉用晶种，该晶种可以降低由接触硅熔液时产生的热冲击引起的滑移位错的产生，并且抑制该滑移位错的传播，即使颈部的直径大于以往的直径也能进行无位错化。本套资料的硅单晶提拉用晶种是对基于CZ法的硅单晶...

15、硅单晶提拉用晶种以及使用该晶种的硅单晶的制造方法

16、制造由硅或基于硅的材料构成的结构化颗粒的方法及其在锂可再充电电池组中的使用

[简介]：本套资料涉及一种使用硅锰铁合金脱氧合金化的方法，该方法包括以下步骤：首先检测转炉内的溶解氧含量，当转炉内的溶解氧含量被吹炼到600－1300ppm时作为转炉终点，然后向钢包内添加硅锰铁合金，当钢包内的溶解氧含量达到100－3...

17、使用硅锰铁合金脱氧合金化的方法

[简介]：本技术主要内容为一种晶硅太阳能电池片SE工艺中去蜡槽使用的滚轮。其特征在于所述的滚轮是将原先设计的整根滚轮设计成分段式，分段的数量是根据硅片的尺寸和去蜡槽的宽度而确定的，用较轻的pp-w材质，去除原有的凸起圆环，...

18、一种晶硅太阳能电池片SE工艺中去蜡槽使用的滚轮

[简介]：本套资料主要内容为一种使用低浓度碱溶液制作黑硅材料的方法规定的碱溶液的浓度为0.2%-1.9%重量比含量之间的一个确定值，将碱溶液加热到20℃-90℃之间的一个确定温度，然后将清洗并抛光过的晶体硅片浸入这个碱溶液中，同时对碱溶...

19、一种使用低浓度碱溶液制作黑硅材料的方法

[简介]：本套资料涉及直拉法CZ法晶体生长法。指晶体生长的一种方法，用来获取半导体如硅、锗、砷化镓、金属钯、铂、银、金、盐，或者是合成宝石的单晶。也称切氏或者柴氏法，由波兰科学家切克劳斯基于1916年研究金属的结晶速率时发明的...

20、一种使用改良坩埚和加热器设计的硅晶体拉制法

[简介]：本技术主要内容为一种与硅麦克风刷膏用立体网板配合使用的刮刀，所述立体网板上具有向上凸起的保护罩，所述保护罩为长条形且等间距排列，在所述刮刀的底部边缘设有均匀分布的用于容纳所述保护罩的凹槽，相邻两个凹槽之间的...

21、一种提高硅锭利用率和籽晶使用次数的坩埚及其制备方法

22、一种提高硅锭利用率和籽晶使用次数的坩埚及其制备方法

23、含硅预聚物及使用其制得的含硅水胶与*

24、使用硅化合物的固体型二次电池及其制造方法

25、钛-硅分子筛及其制法、以及使用该分子筛制造环己酮肟的方法

26、钛-硅分子筛及其制法、以及使用该分子筛制造环己酮肟的方法

27、一种钛-硅分子筛的制法及使用该分子筛制造环己酮肟的方法

28、使用硅通孔的天线

29、使用高温热处理的300mm硅抛光片制造工艺

30、一种使用硅掺杂操作的新型嵌入式3D应力和温度传感器

31、使用低压外延硅以实现低漏极源极导通电阻RDSON的场效晶体管

32、用于形成电极的银糊组合物以及使用其的硅太阳能电池

33、硅单晶的培育方法、以及硅晶片和使用该硅晶片的SOI衬底

34、使用温敏电阻对扩散硅压力传感器温敏系数的归一化补偿电路

35、使用温敏电阻对扩散硅压力传感器温敏系数的归一化补偿电路

36、一种使用异形多晶料生产硅单晶的区熔炉控制系统及控制方法

37、处理苏打石灰硅玻璃基板表面的方法、表面处理的玻璃基板及使用其的装置

38、使用在包括嵌入式管芯的内建非凹凸层衬底上的硅通孔的管芯堆叠以及其形成工艺

39、使用Carrier顶升传片技术以进行硅薄膜镀膜

40、一种使用金刚石线切割的太阳能级硅晶薄片及其切割方法

41、硅氮化物荧光体用氮化硅粉末、使用其获得的Sr3Al3Si13O2N21荧光体和β-赛隆荧光体以及它们的制备方法

42、硅氮化物荧光体用氮化硅粉末、使用其获得的Sr3Al3Si13O2N21荧光体和β-赛隆荧光体以及它们的制备方法

43、硅蚀刻液以及使用其的晶体管的制造方法

44、UZM-7硅铝酸盐沸石、制备方法和使用UZM-7的方法

45、UZM-45硅铝酸盐沸石、制备方法和使用UZM-45的方法

46、使用含硅前驱物和原子氧进行高质量流体状硅氧化物的化学气相沉积

47、使用含硅前驱物和原子氧进行高质量流体状硅氧化物的化学气相沉积

48、使硅层结晶的方法及使用该方法形成薄膜晶体管的方法

49、硅器件结构及其形成时所使用的溅射靶材料

50、使用硅基底的氮化物基发光器件及其制造方法

51、使用外延沉积以制造结晶硅太阳能电池的方法

52、一种使用含有硅的黄铜合金碎屑制造合金锭的装置

53、高接着性硅氧树脂组成物以及使用该组成物的光半导体装置

54、硅光电倍增探测器结构、制作及使用

55、使用UZM-37硅铝酸盐沸石的芳烃烷基化法

56、形成硅层的方法及使用该硅层的显示基板的制造方法

57、一种石灰硅砂硅酸盐水泥及其在管桩生产中的使用技术方法

58、使用了硅粉末的太阳能电池单体的制造方法

59、藉由等离子体增强化学气相沉积使用含有具有机官能基的硅的杂化前驱物所形成的超低介电材料

60、硅结晶掩模、结晶硅的装置及使用其的方法

61、使用外围四氯化硅减少硅在反应器壁上的沉积的方法

62、使用外围四氯化硅减少硅在反应器壁上的沉积的方法

63、硅衍生物、包含该硅衍生物的液晶组合物以及使用该液晶组合物的补偿膜

64、硅衍生物、包含该硅衍生物的液晶组合物以及使用该液晶组合物的补偿膜

65、在硅和硅合金中使用互补结型场效应晶体管和MOS晶体管的集成电路

66、在硅和硅合金中使用互补结型场效应晶体管和MOS晶体管的集成电路

67、使用一组硅纳米颗粒流体以原位控制一组掺杂剂扩散分布的方法

68、制造半导体级硅晶锭的方法、可再使用的坩埚及其制造方法

69、晶种保持构件及使用该晶种保持构件的多结晶硅制造方法

70、在适于堆叠的集成电路中使用间断式硅过孔

71、使用三重植入通过裂开分离硅薄膜的方法

72、使用包含镁和硅的组合物产生氢

73、一种使用碳化钽包覆钽丝为催化剂制备硅薄膜的方法

74、铝-镁-硅复合材料及其制造方法和使用了该复合材料的热电转换材料、热电转换元件以及热电转换组件

75、使用硅纳米粒子流体以原位控制一组掺杂剂扩散分布的方法

76、使用基于锌、硅和氧的接合层的接合方法及相应的结构体

77、无卤无磷无硅的环氧树脂组合物以及使用其制备的覆盖膜

78、无卤无磷无硅的环氧树脂组合物以及使用其制备的挠性覆铜板

79、使用处理腔室壁上的硅涂层增强清除残余的氟*基的方法

80、一种直拉法制备单晶硅所使用的硅籽晶

81、化学气相沉积用原料及使用了该原料的含硅薄膜形成方法

82、化学气相沉积用原料及使用了该原料的含硅薄膜形成方法

83、钛-硅分子筛的制法及使用该分子筛制造环己酮肟的方法

84、使用承载在甲硅烷基化活性炭上的贵金属催化剂制备环氧丙烷的方法

85、使用化学气相沉积钝化的硅蚀刻

86、使用等离子体增强氧化钝化的硅蚀刻

87、使用PN二极管进行高速硅光调制的方法和设备

88、UZM-35硅铝酸盐沸石、制备方法和使用UZM-35的方法

89、经全氟聚醚改性的聚硅氮烷以及使用其的表面处理剂

90、薄膜制造方法和可在该方法中使用的硅材料

91、使用不平衡的磁场和共转来控制生长硅晶体的熔体-固体界面形状

92、用于形成电极的金属膏组合物以及使用该组合物的银-碳复合电极和硅太阳能电池

93、硅半导体衬底的热处理方法以及使用该方法处理的硅半导体衬底

94、用于熔化硅的坩埚和该坩埚使用的脱模剂

95、用于熔化硅的坩埚和该坩埚使用的脱模剂

96、使用含硅光聚合性组合物的光学粘接

97、纵型热处理用晶舟及使用此晶舟的硅晶片的热处理方法

98、一种使用太阳炉提纯硅材料的方法

99、使用聚硅氮烷形成反色调图像的硬掩模方法

100、使用非晶态硅感光体的图像形成装置

101、硅部件制造方法及硅部件和使用该硅部件的光学部件

102、硅部件制造方法及硅部件和使用该硅部件的光学部件

103、一种硅负极材料及其制备方法以及使用该材料的锂电池

104、硅基硬掩模组合物Si-SOH；Si基旋涂硬掩模以及使用该组合物制造半导体集成电路器件的方法

105、使用硅-硅直接晶片键合、在具有不同晶向的混合衬底上的CMOS

106、使用含碳硅和锗化硅外延源漏极的高性能应力增强金属氧化物半导体场效应晶体管及制造方法

107、硅锭切割用浆液及使用该浆液的硅锭切割方法

108、一种红色发光的硅氧氮化物荧光材料、制备方法及使用其的发光装置

109、使用搀杂物和具有受控晶体结构的多层硅薄膜来调整多晶硅薄膜和周围层的应力

110、具有使用接合引线的增强型冲击验证的硅麦克风

111、含硅的精细图案形成用组合物以及使用它的精细图案形成方法

112、使用穿透硅通道的半导体封装方法

113、使用穿透硅通道的半导体封装方法

114、硅贯通电极晶圆的研磨方法与其所使用的研磨组成物

115、晶体硅的制作方法和使用晶体硅的开关器件

116、使用低等硅原料制成半导体晶锭的方法和系统

117、石英玻璃坩埚以及使用该石英玻璃坩埚的硅单晶提拉方法

118、制备和使用卤代甲硅烷基锗烷的新方法

119、使用硅阵列孔装配微丝电极阵列的方法

120、具有硅和或锡的乙烯基类聚合物及使用该聚合物的有机发光二极管

121、使用可交联的含硅聚烯烃的防粘连剂

122、使用可交联的含硅聚烯烃的防粘连剂

123、用于软性*的硅水凝胶化合物及使用该化合物制得的软性*

124、使用多个前驱体制备高纯硅的方法和设备

125、晶体硅抛光液的添加剂及其使用方法

126、一种介质熔炼中硅熔体的取样装置及其使用方法

127、UZM-22硅铝酸盐沸石、制备方法和使用UZM-22的方法

128、一种固化有透明质酸的硅板的制备保存和使用方法

129、硅钙钡复合脱氧剂的生产工艺及所使用的设备

130、一种三氯氢硅合成工段渣浆处理装置及其使用方法

131、使用封装的硅切换功率传递的系统和方法

132、使用含碳的硅薄膜形成超浅接合区的方法

133、使用卡宾型催化剂缩合甲硅烷基单元的方法

134、硅铁合金在钢水脱氧中的使用方法

135、使用绝缘体上硅晶片制造晶体管的方法

136、硅锗氢化物以及制造和使用其的方法

137、硅锗氢化物以及制造和使用其的方法

138、用于应变硅MOS晶体管的使用硬掩模的刻蚀方法和结构

139、用于应变硅MOS晶体管的使用硬掩模的刻蚀方法和结构

140、藉由使用包含具有高共价半径的原子的嵌入半导体层的用于硅基晶体管中工程应变的技术

141、硅料漂浮分选清洗溶液及其配制与使用方法

142、硅料漂浮分选清洗溶液及其配制与使用方法

143、使用硅锗的可编程熔丝

144、硅包覆金刚石增加其金属黏合性的装置及其使用方法

145、使用回转窑烧结粉料并热装矿热电炉的硅锰合金生产方法

146、对硅晶片制造工艺中产生的使用后浆料进行再循环的设备

147、使用硅锗脉冲发生器生成微调时间偏移量

148、一种在使用氟硅玻璃制造工艺中防止氟扩散的方法

149、高质量硅单晶结晶块的生长装置及使用此装置的生长方法

150、包含新的含硅化合物的液晶组合物及使用该液晶组合物的液晶显示器

151、包含新的含硅化合物的液晶组合物及使用该液晶组合物的液晶显示器

152、含硅感光性组合物、使用该组合物的薄膜图案的制造方法、电子机器用保护膜、栅极绝缘膜和薄膜晶体管

153、使用六氯乙硅烷或其它含氯硅前驱体的微构件填充工艺和装置

154、双上炉体连续加料硅单晶炉及其使用方法

155、在硅外延薄膜形成时使用氯气和或氯化氢

156、在硅外延薄膜形成时使用氯气和或氯化氢

157、使用可变磁场控制生长的硅晶体的熔体-固体界面形状

158、硅光电器件及其制备方法和使用其的图像输入输出装置

159、过渡金属的还原方法、使用该方法的含硅聚合物的表面处理方法、过渡金属微粒子的制造方法、物品及电路板的制造方法

160、使用含硅密封剂制造发光装置的方法

161、使用应变硅用于集成PMOS和NMOS晶体管的单掩模设计方法和结构

162、使用应变硅用于集成PMOS和NMOS晶体管的单掩模设计方法和结构

163、制备含有氨芳基的有机基硅化合物和在其制备中使用的中间体的制备方法

164、使用应变硅晶体管栅极图案化用硬掩模的方法和结构

165、沉积型硅钙质胶磷矿脱硅捕收剂及其制备方法和使用方法

166、环保型纳米环氧硅重防腐涂料及其制备方法和使用方法

167、用于硅层结晶的可变掩膜器件及使用该器件的结晶方法

168、用于探针结合的硅晶片以及使用其进行结合的方法

169、使用紫外线辐射使含硅薄膜低温外延生长的方法

170、含硅嵌段共聚合物及其合成和使用方法

171、碳氟化合物蚀刻化学剂中使用氢气添加剂的掺碳的硅氧化物蚀刻

172、使用硅锗制造半导体结构的方法

173、提高硅晶线切割砂浆利用率的添加剂及其制备和使用方法

174、使用硅铝酸盐富集海藻糖

175、用于从基材除去含硅残留物的溶剂和使用该溶剂的去除方法

176、使用超临界流体基组合物促进含硅粒子物质的去除

177、聚硅烷-聚硅氮烷共聚物及其制备和使用方法

178、基于硅基氧化钒薄膜的太赫兹波光斩波器及使用方法

179、连续横向结晶装置和使用它结晶硅的方法

180、含硅涂料组合物及其使用方法

181、晶体硅太阳能电池用洗磷溶液及其制造、使用方法

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